半橋電路-參數(shù)計算
MOS管選型需要滿足幾個要求：
1.足夠的漏-源電壓 VDS
2.足夠的漏極電流 ID
3.快速開關(guān)的能力和開通、關(guān)斷延時
4.低的導(dǎo)通電阻Rds(on)
例：如圖，假設(shè)該電路輸出功率為850W，負(fù)載8Ω，MOS管如何選型？
1.Vds電壓是多少？
根據(jù)P=U*U/R，得出輸出的平均電壓U=82V，這是平均值，需要轉(zhuǎn)化成峰值電壓Uo=√2*U=116V。
又因為電源利用率為85%，所以Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。所以Vds要大于136*2=272V。
2.ID如何計算？
根據(jù)P=I*I*R，得出I=10.3A。
所以MOS管的選型應(yīng)Vds＞272V，ID＞10.3A。
可初步選擇FDAF59N30，主要指標(biāo)如下：
1.漏-源電壓 VDS=300V
2.漏極電流 ID=34A
3.上升時間ton=140ns
4.關(guān)斷時間toff=120ns
5.電阻RDS(on) = 0.056Ω
6.柵極電荷Q g =77nc
從上述幾大指標(biāo)來看，該 MOS管的工作電壓、電流均滿足需求，在較短的開通和關(guān)斷遲時間保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
MOS管驅(qū)動如何選擇？
可以通過計算得到MOS管在一個完整開關(guān)周期內(nèi)所需要的功率Pg。
計算公式為：
Pg=Vgs*Qg*fsw，其中Vgs柵極驅(qū)動電壓，fsw為開關(guān)頻率。
FDAF59N30在柵極驅(qū)動電壓為 12V，開關(guān)頻率為200KHZ時的消耗功率為：
Pg=12*77*10-9*200*103 =0.1848W
驅(qū)動需要提供的平均電流為：
I= Pg/ Vgs=15.4mA。
根據(jù)經(jīng)驗，在保證正常工作條件下FDAF59N30的典型開通和關(guān)斷時間約為200ns，因此可以反推出驅(qū)動需要提供的瞬時電流為：
Imax=Qg/t=77nc/200ns=385mA。
所以MOS管驅(qū)動需要需要提供的電流大于385mA。
因為這是高壓MOS管，所以需要提供浮動?xùn)艠O驅(qū)動能力。
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